 для обчислень в оперативній пам'яті.){kind=link}
บริษัท Samsung ประกาศว่าเป็นครั้งแรกในโลกที่สาธิตเทคโนโลยี MRAM (หน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มแม่เหล็ก) สำหรับการประมวลผลในหน่วยความจำ บทความของบริษัทชื่อ "Cross-Array Magnetoresistive Devices for In-Memory Computing" ได้รับการตีพิมพ์ในวารสาร Nature
ข้อมูลมักจะถูกเก็บไว้ใน DRAM ความเร็วสูงของโปรเซสเซอร์ อย่างไรก็ตาม MRAM เปลี่ยนแปลงสถานการณ์และรวมการจัดเก็บข้อมูลและการคำนวณเข้าด้วยกัน ทำให้ทั้งสองเกิดขึ้นบนชิปตัวเดียวกัน ในทางทฤษฎี การดำเนินการในกรณีนี้ทำได้เร็วกว่ามาก เนื่องจากไม่จำเป็นต้องถ่ายโอนข้อมูลจากหน่วยความจำของโปรเซสเซอร์และในทางกลับกัน นอกจากนี้ยังสามารถประหยัดไฟฟ้าได้อย่างมาก เนื่องจากการประมวลผลข้อมูลเกิดขึ้นในหน่วยความจำในลักษณะคู่ขนานกัน
การสาธิตนี้เป็นความก้าวหน้า เนื่องจากในขณะที่โซลูชันการประมวลผลในหน่วยความจำอื่นๆ เช่น PRAM และ RRAM ได้รับการสาธิตแล้ว แต่ MRAM ที่ใช้งานได้นั้นทำได้ค่อนข้างยาก สาเหตุหลักมาจากความต้านทานต่ำ นอกจากนี้ยังเป็นไปไม่ได้ที่จะใช้ประโยชน์จากข้อได้เปรียบด้านประสิทธิภาพด้านพลังงานของ MRAM ในสถาปัตยกรรมคอมพิวเตอร์ในหน่วยความจำมาตรฐาน
บริษัท Samsung ทำให้ MRAM เป็นไปได้ด้วยชิปอาร์เรย์ MRAM ที่เป็นกรรมสิทธิ์ซึ่งใช้ผลรวมความต้านทานแทนผลรวมกระแสไฟมาตรฐานเพื่อแก้ปัญหาความต้านทาน
โซลูชันได้รับการทดสอบโดยใช้แอปพลิเคชันปัญญาประดิษฐ์ (AI) และแสดงความแม่นยำ 98% ในการจำแนกตัวเลขที่เขียนด้วยลายมือและความแม่นยำ 93% ในการตรวจจับใบหน้าในภาพ Samsung อ้างว่าเทคโนโลยี MRAM สามารถใช้สำหรับการประมวลผล AI และเพื่อสร้างชิป AI ที่มีประสิทธิภาพสูง
Dr. Seunchul Jung ผู้เขียนบทความฉบับแรกกล่าวว่า "การคำนวณในหน่วยความจำคล้ายกับสมองในแง่ที่ว่าในสมอง การคำนวณเกิดขึ้นในเครือข่ายหน่วยความจำทางชีววิทยา หรือ synapses ซึ่งเป็นจุดที่เซลล์ประสาทสัมผัสกัน ในความเป็นจริง แม้ว่าการคำนวณที่ดำเนินการโดยเครือข่าย MRAM ของเรามีวัตถุประสงค์ที่แตกต่างจากการคำนวณที่ดำเนินการโดยสมองในตอนนี้ แต่ในอนาคตเครือข่ายหน่วยความจำโซลิดสเตตดังกล่าวอาจใช้เป็นแพลตฟอร์มสำหรับการจำลองสมองโดยการจำลองการสื่อสารของ ไซแนปส์ของสมอง”
อ่าน: