 для авіації і космосу.){kind=link}
การเปิดตัวชิปหน่วยความจำแบบแยก STT-MRAM ขนาด 1 Gbit (128 MB) สำหรับการใช้งานด้านอวกาศเพิ่งได้รับการประกาศ นี่เป็นหน่วยความจำแม่เหล็กที่หนาแน่นกว่าหน่วยความจำที่มีให้ก่อนหน้านี้หลายเท่า ความหนาแน่นที่แท้จริงของการจัดวางองค์ประกอบหน่วยความจำ STT-MRAM เพิ่มขึ้น 64 เท่า หากเราพูดถึงผลิตภัณฑ์ของบริษัท Micross ซึ่งผลิตการบรรจุอิเล็กทรอนิกส์ที่เชื่อถือได้เป็นพิเศษสำหรับอุตสาหกรรมการบินและอวกาศและการป้องกันประเทศ
ชิป STT-MRAM Micross ใช้เทคโนโลยีของบริษัท Avalanche Technology ของอเมริกา หิมะถล่มก่อตั้งขึ้นในปี 2006 โดย Peter Estakhri ชาว Lexar และ Cirrus Logic นอกจาก Avalanche, Everspin และ Samsung. งานแรกในความร่วมมือกับ GlobalFoundries และมุ่งเน้นไปที่การเปิดตัว STT-MRAM แบบฝังและไม่ต่อเนื่องด้วยมาตรฐานเทคโนโลยี 22 นาโนเมตรและครั้งที่สอง (Samsung) ในขณะที่ปล่อย STT-MRAM ในรูปของบล็อกขนาด 28 นาโนเมตรที่สร้างไว้ในคอนโทรลเลอร์ บล็อกของ STT-MRAM ที่มีความจุ 1 Gb อย่างไรก็ตาม Samsung นำเสนอเมื่อเกือบสามปีที่แล้ว
ข้อดีของ Micross ถือได้ว่าเป็นการเปิดตัว 1Gbit STT-MRAM แบบแยกส่วน ซึ่งใช้งานง่ายในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์แทน NAND-flash หน่วยความจำ STT-MRAM ทำงานในช่วงอุณหภูมิที่กว้างกว่า (ตั้งแต่ -40° C ถึง 125° C) โดยมีรอบการเขียนซ้ำเกือบไม่รู้จบ ไม่กลัวการเปลี่ยนแปลงของรังสีและอุณหภูมิ และสามารถเก็บข้อมูลในเซลล์ได้นานถึง 10 ปี ความเร็วในการอ่านและเขียนที่สูงขึ้น และใช้พลังงานน้อยลง
จำได้ว่าหน่วยความจำ STT-MRAM เก็บข้อมูลในเซลล์ในรูปแบบของการทำให้เป็นแม่เหล็ก ผลกระทบนี้ถูกค้นพบในปี 1974 ระหว่างการพัฒนาฮาร์ดไดรฟ์ที่ IBM แม่นยำยิ่งขึ้นจากนั้นจึงค้นพบเอฟเฟกต์แม่เหล็กซึ่งทำหน้าที่เป็นพื้นฐานของเทคโนโลยี MRAM ต่อมา มีการเสนอให้เปลี่ยนการสะกดจิตของชั้นหน่วยความจำโดยใช้เอฟเฟกต์การถ่ายโอนอิเล็กตรอนหมุน (โมเมนต์แม่เหล็ก) ดังนั้น ตัวย่อ STT จึงถูกเพิ่มเข้าไปในชื่อ MRAM ทิศทางของสปินทรอนิกส์ในอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ขึ้นอยู่กับการถ่ายโอนของสปิน ซึ่งช่วยลดการใช้ชิปได้อย่างมากเนื่องจากกระแสน้ำที่น้อยมากในกระบวนการ
อ่าน: