.){kind=link}
Micron Technology ได้ประกาศเริ่มการผลิตจำนวนมากและการส่งมอบชิปหน่วยความจำ DDR16 ขนาด 5 กิกะบิต ซึ่งผลิตตามกระบวนการทางเทคโนโลยีที่ทันสมัยที่สุดของผู้ผลิต - 1β (1-beta) บนพื้นฐานของหน่วยความจำนี้ สามารถสร้างโมดูล RAM สำหรับเซิร์ฟเวอร์และคอมพิวเตอร์ส่วนบุคคลด้วยความเร็วสูงสุด 7200 MT/s
บริษัท ประกาศการเปลี่ยนไปใช้กระบวนการ 1β ด้วยเทคโนโลยี High-K CMOS ขั้นสูง การควบคุมความถี่สัญญาณนาฬิกาสี่เฟส และการซิงโครไนซ์สัญญาณนาฬิกา ทำให้ประสิทธิภาพเพิ่มขึ้น 50% และประสิทธิภาพการใช้พลังงานเพิ่มขึ้น 33% ต่อวัตต์ เมื่อเทียบกับหน่วยความจำรุ่นก่อนหน้า .
เนื่องจากจำนวนคอร์ของ CPU เพิ่มขึ้นเพื่อตอบสนองความต้องการที่เพิ่มขึ้นของเวิร์กโหลดศูนย์ข้อมูล ความต้องการหน่วยความจำที่มีความจุสูงและแบนด์วิธสูงก็เพิ่มขึ้นเช่นกัน หน่วยความจำ DDR5 DRAM สูงถึง 7200 MT/s ที่ใช้เทคโนโลยีกระบวนการ 1β ของ Micron ช่วยให้สามารถประมวลผลแบบปรับขนาดได้พร้อมประสิทธิภาพที่สูงขึ้นสำหรับด้านต่างๆ เช่น การเรียนรู้และการบูรณาการปัญญาประดิษฐ์ (AI), AI เชิงสร้างสรรค์, การวิเคราะห์ข้อมูลและฐานข้อมูลในหน่วยความจำ (IMDB) ในศูนย์ประมวลผลข้อมูล และบนแพลตฟอร์มไคลเอนต์
ชิปหน่วยความจำใหม่ของ Micron มีจำหน่ายในความจุ 16, 24 และ 32 Gbit (2, 3 และ 4 GB) และให้ความเร็วในการทำงานตั้งแต่ 4800 ถึง 7200 MT/s หน่วยความจำใหม่จะวางจำหน่ายทั้งในส่วนของเซิร์ฟเวอร์และกลุ่มผู้บริโภค Micron วางแผนที่จะขยายการใช้กระบวนการ 1β ขั้นสูงไปสู่การผลิตคริสตัลหน่วยความจำ LPDDR5x, GDDR7 และแม้กระทั่ง HBM3e ผู้ผลิตระบุ
อ่าน:
- Samsung กำลังเตรียมวางจำหน่ายโมดูลหน่วยความจำ DDR5 ขนาด 1 TB
- SK hynix เปิดตัวชิปพกพา LPDDR24X ขนาด 5GB รุ่นแรกของโลก