คาดว่า Samsung Yonhap News รายงานการเริ่มผลิตชิป 3nm จำนวนมากในสัปดาห์หน้า สิ่งนี้ทำให้บริษัทนำหน้า TSMC ซึ่งคาดว่าจะเริ่มผลิตชิป 3nm ในช่วงครึ่งหลังของปีนี้
เมื่อเทียบกับกระบวนการ 5nm (ซึ่งใช้สำหรับ Snapdragon 888 และ Exynos 2100) โหนด 3nm ของ Samsung จะลดพื้นที่ลง 35% เพิ่มประสิทธิภาพการทำงาน 30% และลดการใช้พลังงานลง 50%
สิ่งนี้สามารถทำได้โดยการเปลี่ยนไปใช้การออกแบบทรานซิสเตอร์ Gate-All-Around (GAA) เป็นขั้นตอนต่อไปหลังจาก FinFET เนื่องจากช่วยให้ขนาดของทรานซิสเตอร์ลดลงโดยไม่กระทบต่อความสามารถในการนำกระแสไฟฟ้า การออกแบบ GAAFET ที่ใช้กับโหนด 3nm แสดงในรูปด้านล่าง
ประธานาธิบดีสหรัฐ โจ ไบเดน เยี่ยมชมโรงงานเมื่อเดือนที่แล้ว Samsung ในพยองแท็กเพื่อมีส่วนร่วมในการสาธิตเทคโนโลยี 3nm Samsung. ปีที่แล้ว มีข่าวลือว่าบริษัทอาจลงทุน 10 พันล้านดอลลาร์เพื่อสร้างโรงหล่อ 3 นาโนเมตรในเท็กซัส การลงทุนเหล่านี้เพิ่มขึ้นเป็น 17 พันล้านดอลลาร์ โรงงานแห่งนี้คาดว่าจะเริ่มดำเนินการในปี 2024
ไม่ว่าในกรณีใด ความกังวลที่ใหญ่ที่สุดเมื่อสร้างโหนดใหม่คือเอาต์พุต ในเดือนตุลาคมปีที่แล้ว Samsung ระบุว่าประสิทธิภาพของกระบวนการ 3nm "เข้าใกล้ระดับเดียวกับกระบวนการ 4nm" แม้ว่าบริษัทจะไม่ได้นำเสนอตัวเลขอย่างเป็นทางการ แต่นักวิเคราะห์เชื่อว่าโหนด 4 นาโนเมตร Samsung เกี่ยวข้องกับปัญหาผลผลิต
คาดว่าจะมีโหนด 3nm รุ่นที่สองในปี 2023 และแผนงานของบริษัทยังรวมถึงโหนดที่ใช้ MBCFET ขนาด 2nm ในปี 2025
คุณสามารถช่วยยูเครนต่อสู้กับผู้รุกรานรัสเซีย วิธีที่ดีที่สุดคือบริจาคเงินให้กับกองทัพยูเครนผ่าน เซฟไลฟ์ หรือทางเพจอย่างเป็นทางการ NBU.
อ่าน:
เขียนความเห็น