Samsung ประกาศการเริ่มต้นการผลิตจำนวนมากของหน่วยความจำ DDR16 DRAM ขนาด 5 กิกะบิต ซึ่งใช้กระบวนการทางเทคโนโลยีขั้นสูงสุดในอุตสาหกรรมในระดับ 12 นาโนเมตร ความสมบูรณ์ของกระบวนการผลิตที่ทันสมัยที่สุดเป็นเครื่องยืนยันความเป็นผู้นำของบริษัทอีกครั้ง Samsung ในด้านเทคโนโลยี DRAM ขั้นสูง
เมื่อเทียบกับแรมรุ่นใหม่ก่อนหน้านี้ Samsung DDR5 DRAM คลาส 12nm ลดการใช้พลังงานลง 23% ในขณะที่เพิ่มประสิทธิภาพเวเฟอร์ 20% ประสิทธิภาพการใช้พลังงานที่โดดเด่นทำให้เป็นโซลูชันที่เหมาะสำหรับบริษัทไอทีระดับโลกที่ต้องการลดการใช้พลังงานและการปล่อยก๊าซคาร์บอนไดออกไซด์ของเซิร์ฟเวอร์และศูนย์ข้อมูลของตน
การพัฒนา Samsung เทคโนโลยีการผลิต 12 นาโนเมตรเกิดขึ้นได้จากการใช้วัสดุใหม่ที่มีการนำไฟฟ้าสูง ซึ่งช่วยเพิ่มความจุของเซลล์ ความจุไฟฟ้าสูงทำให้เกิดความแตกต่างอย่างมีนัยสำคัญในศักย์ไฟฟ้าในสัญญาณข้อมูล ซึ่งทำให้แยกแยะได้อย่างแม่นยำได้ง่ายขึ้น ความพยายามของบริษัทในการลดแรงดันไฟฟ้าในการทำงานและลดเสียงรบกวนยังช่วยสร้างโซลูชันที่เหมาะสมที่สุดตามที่ลูกค้าต้องการ
ด้วยความเร็วสูงสุด 7,2 กิกะบิตต่อวินาที ซึ่งหมายความว่าสามารถประมวลผลภาพยนตร์ UHD ขนาด 30GB สองเรื่องได้ในประมาณหนึ่งวินาที กลุ่มผลิตภัณฑ์ DDR5 DRAM ขนาด 12 นาโนเมตรของ Samsung จะรองรับรายการแอปพลิเคชันที่เพิ่มขึ้น ซึ่งรวมถึงศูนย์ข้อมูล ปัญญาประดิษฐ์ และการประมวลผลยุคหน้า
เมื่อเดือนธันวาคมที่ผ่านมา Samsung เสร็จสิ้นการทดสอบ DDR16 DRAM ขนาด 5 กิกะบิตสำหรับความเข้ากันได้กับ AMD และยังคงทำงานร่วมกับบริษัทไอทีระดับโลกเพื่อขับเคลื่อนนวัตกรรมในตลาด DRAM ยุคหน้า
อ่าน:
เขียนความเห็น